半导体器件制造
金属氧化物半导体场效晶体管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量 互补式金属氧化物半导体 半导体器件（多闸极晶体管） 摩尔定律 晶体管数量 半导体 半导体产业 纳电子学
查 论 编

130纳米制程，又称0.13微米制程，是半导体制造制程的一个水平，大约于2000年至2001年左右达成。^[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台积电所完成。

一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III Tualatin处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。

使用130纳米制程技术的处理器

• 摩托罗拉PowerPC 7447和7457 - 2002年
• IBM Gekko（英语：Gekko (processor)）（任天堂GameCube） - 2002年10月至2003年6月
• IBM PowerPC G5 970（英语：PowerPC G5 970） - 2002年10月至2003年6月
• 英特尔奔腾3 Tualatin和Coppermine - 2001年4月
• 英特尔赛扬 Tualatin-256 - 2001-10-02
• 英特尔奔腾M Banias - 2003-03-12
• 英特尔奔腾4 Northwood- 2002-01-07
• 英特尔赛扬 Northwood-128 - 2002-09-18
• 英特尔Xeon Prestonia和Gallatin - 2002-02-25
• VIA C3 - 2001
• AMD AMD Athlon Thoroughbred、Thorton和Barton
• AMD Athlon MP Thoroughbred - 2002-08-27
• AMD Athlon XP-M Thoroughbred、Barton和Dublin
• AMD AMD Duron Applebred - 2003-08-21
• AMD K7 AMD Sempron Thoroughbred-B、Thorton和Barton - 2004-07-28
• AMD K8 Sempron Paris - 2004-07-28
• AMD AMD Athlon 64 Clawhammer和Newcastle - 2003-09-23
• AMD Opteron Sledgehammer - 2003-06-30
• Elbrus 2000（英语：Elbrus 2000） 1891ВМ4Я (1891VM4YA) - 2008-04-27 ^[3]
• MCST-R500S（英语：MCST-R500S） 1891BM3 - 2008-07-27 ^[4]
• Vortex 86SX - ^[5]
• nVIDIA GeForce 5

参考文献