半导体器件制造
金属氧化物半导体场效晶体管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量 互补式金属氧化物半导体 半导体器件（多闸极晶体管） 摩尔定律 晶体管数量 半导体 半导体产业 纳电子学
查 论 编

90纳米制程是半导体制造制程的一个水平，大约于2004年至2005年左右达成。^[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台积电所完成。

许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。

此外，12英寸晶圆在这个制程上成为主流。

具有90纳米制程的产品

• IBM PowerPC G5 970FX 2004年
• 英特尔奔腾4 Prescott 2004年2月
• AMD Athlon 64 Winchester 2004年10月
• nVIDIA GeForce 6100系列、GeForce 7、Geforce 8800系列
• 任天堂Wii游戏机的Broadway 微处理器
• ATi为任天堂Wii游戏机开发的Hollywood GPU

参考文献