半导体器件制造
金属氧化物半导体场效晶体管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量 互补式金属氧化物半导体 半导体器件（多闸极晶体管） 摩尔定律 晶体管数量 半导体 半导体产业 纳电子学
查 论 编

10纳米制程是半导体制造制程的一个水准。

历史

三星电子与联发科在2017年推出10纳米器件，三星电子的Exynos 9 Octa 8895与高通的Snapdragon 835是首批量产供货的10nm芯片产品，于第一季问世。

苹果公司于2017年尾发表的Apple A10X（第二代iPad Pro）和Apple A11（iPhone 8及iPhone X）均由台积电10nm FinFET制程生产。

英特尔于2018年推出了第一款10nm制程的处理器，采用Cannon Lake微架构。 但此微架构仅有一款笔电处理器——i3-8121U。由于预期性能及研发难度超越他厂的同名称制程，因此桌上电脑和服务器级处理器推迟至2020年以后。^[1]2019年第三季，英特尔推出了第二代10nm制程处理器，采用Ice Lake微架构。这次发表的处理器全部是笔电处理器。

三星将后续优化的制程命名为8奈米，以融入了部分7奈米制程继续为特点，于2018年量产。^[2]

2021年7月，英特尔宣布新的节点命名方式，将其节点与物理尺寸脱勾，其中10nm Enhanced SuperFin制程更名为“Intel 7”^[3][4]，其表现不输台积电的7奈米制程。

在10纳米中，金属的宽度为40至50纳米，^[5]其后继制程是7纳米。

参考文献