半导体器件制造
金属氧化物半导体场效晶体管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量 互补式金属氧化物半导体 半导体器件（多闸极晶体管） 摩尔定律 晶体管数量 半导体 半导体产业 纳电子学
查 论 编

180纳米制程，又称0.18微米制程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1999年至2000年左右达成。^[1][2] 这一制程是由当时领先的半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台积电所完成的。

一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。

具有180纳米制程的产品

• 英特尔 Coppermine 1999年10月
• AMD Athlon Thunderbird 2000年6月
• 英特尔赛扬（Willamette）2002年5月
• 摩托罗拉PowerPC 7445和7455 2002年1月
• ATi Radeon R100和RV100 Radeon 7000 2000年
• nVIDIA GeForce 2、GeForce 3

参考文献