半导体器件制造
金属氧化物半导体场效晶体管
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未来 002 nm ~ 2024
晶体管数量 互补式金属氧化物半导体 半导体器件（多闸极晶体管） 摩尔定律 晶体管数量 半导体 半导体产业 纳电子学
查 论 编

65纳米制程是半导体制造制程的一个技术水平。至2007年，英特尔、AMD、IBM、联华电子、特许半导体和台积电等公司已有能力进行65纳米制程的量产^[1]。

当制程进入65纳米之时，用于进行光刻的光的波长是193纳米和248纳米。具有低于光波波长的制造厂要求使用一些特殊技术，比如光学邻近校正和相位移掩膜板技术。此外，12英寸晶圆在此制程开始成为主流。

具有65纳米制程的产品

• Intel 奔腾4/奔腾D 2006年1月
• Intel 酷睿2(Conroe、Conroe XE、Merom、Kentsfield)
• AMD Athlon 64系列（始于Lima） 2007年2月
• nVIDIA GeForce 8 （部分系列）、GeForce 9（部分系列）、GeForce 100（部分系列）、GeForce 200（2008年6月，部分系列）

参考文献