硅酸铪
| 硅酸铪 | ||
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| IUPAC名 Hafnium(IV) silicate | ||
| 系统名 Hafnium(4+) silicate | ||
| 识别 | ||
| CAS号 | 13870-13-8 
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| PubChem | 17979268 | |
| ChemSpider | 16470992 | |
| SMILES |
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| 性质 | ||
| 化学式 | HfO4Si | |
| 摩尔质量 | 270.57 g·mol−1 | |
| 外观 | 四方晶体[1] | |
| 密度 | 7.0 g/cm3 | |
| 熔点 | 2758 °C（3031 K）（[1]） | |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | ||
在现代半导体元件中，可以使用由原子层沉积、化学气相沉积或MOCVD生长的硅酸铪和硅酸锆薄膜，作为高κ电介质替换二氧化钛[2]。二氧化铪中的硅增大了能隙，同时降低相对电容率。此外，它还提高了非晶膜的结晶化温度，并进一步增强了材料在高温下与硅的热稳定性[3]。有时会向硅酸铪中加入氮以提高热稳定性和设备的电性能。
参考資料
[编辑]- ^ 1.0 1.1 Haynes, William M. CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data 92nd. Boca Raton, FL.: CRC Press. 2011: 4-66. ISBN 978-1-4398-5511-9. OCLC 730008390 （英语）.
- ^ Mitrovic, I.Z.; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. Electrical and structural properties of hafnium silicate thin films. Microelectronics Reliability. April 2007, 47 (4-5): 645–648 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.microrel.2007.01.065. （原始内容存档于2015-09-24）.
- ^ J.H. Choi; et al. Development of hafnium based high-k materials—A review. Materials Science and Engineering: R. 2011, 72 (6): 97–136 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001. （原始内容存档于2015-09-24）.
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