磷化铟
| 磷化铟 | |
|---|---|
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| 别名 | Indium(III) phosphide |
| 识别 | |
| CAS号 | 22398-80-7 
|
| PubChem | 31170 |
| ChemSpider | 28914 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF |
| 性质 | |
| 化学式 | InP |
| 摩尔质量 | 145.792 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 黑色立方晶体 |
| 密度 | 4.81 g/cm3（固体时） |
| 熔点 | 1062 °C（1335 K） |
| 溶解性 | 微溶于酸[1] |
| 能隙 | 1.344(300 K，直接带隙) eV |
| 电子迁移率 | 5400 cm2/(V·s) (300 K) |
| 热导率 | 0.68 W/(cm·K) (300 K) |
| 折光度n D |
3.1 (红外线); 3.55 (632.8 nm)[2] |
| 结构 | |
| 晶体结构 | 闪锌矿结构 |
| 晶格常数 | a = 5.8687 Å [3] |
| 配位几何 | 四面体 |
| 热力学 | |
| ΔfHm⦵298K | -88.7 kJ/mol |
| S⦵298K | 59.8 J/(mol·K) |
| 热容 | 45.4 J/(mol·K)[4] |
| 危险性 | |
| MSDS | External MSDS |
| 欧盟编号 | 未列出 |
| 主要危害 | 有毒，会水解为磷化氢 |
| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 氮化铟 砷化铟 锑化铟 |
| 其他阳离子 | 磷化铝 磷化镓 |
| 相关化学品 | 磷化铟镓 磷化铝镓铟 砷锑磷化镓铟 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
磷化铟（Indium phosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。
制备
用途
磷化铟因为电子速率较常见的硅半导体及砷化镓都要高，可用在高功率高频的电子电路中。磷化铟因为有直接带隙，适合作像激光二极管等光电工程元件。磷化铟也用在铟镓砷为基础的光电元件中的磊晶基板。
化学
参考资料
- ^ Template:Citation book
- ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698.
- ^ Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. （原始内容存档于2015-09-24）.
- ^ Template:Citation book
- ^ Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. （原始内容存档于2016-01-06）.
- ^ Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073.
外部链接
- Extensive site on the physical properties of indium phosphide （页面存档备份，存于互联网档案馆） (Ioffe institute)
- InP conference series （页面存档备份，存于互联网档案馆） at IEEE
- Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier （页面存档备份，存于互联网档案馆） (2005 news)
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