For faster navigation, this Iframe is preloading the Wikiwand page for Экситон.

Экситон

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Экситон
Экситон в кристаллической решетке
Состав квазичастица
Классификация экситон Ванье — Мотта, экситон Френкеля
Семья бозон
Каналы распада

Эксито́н (лат. excito — «возбуждаю») — квазичастица, представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике, полупроводнике или металле[1], мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы. Понятие об экситоне и сам термин введены советским физиком Я. И. Френкелем в 1931 году, им же разработана теория экситонов[2][3][4], а экспериментально спектр экситона впервые наблюдался в 1951 году[5] (или в 1952 году[6]) советскими физиками Е. Ф. Гроссом и Н. А. Каррыевым[7]. Представляет собой связанное состояние электрона и дырки. При этом его следует считать самостоятельной элементарной (не сводимой) частицей в случаях, когда энергия взаимодействия электрона и дырки имеет тот же порядок, что и энергия их движения, а энергия взаимодействия между двумя экситонами мала по сравнению с энергией каждого из них. Экситон можно считать элементарной квазичастицей в тех явлениях, в которых он выступает как целое образование, не подвергающееся воздействиям, способным его разрушить.

Экситон может быть представлен в виде связанного состояния электрона проводимости и дырки, расположенных или в одном узле кристаллической решётки (экситон Френкеля, a* < a0, a* — радиус экситона, a0 — период решётки), или на расстояниях, значительно больше междуатомных (экситон Ванье — Мотта, a*a0). В полупроводниках, за счёт высокой диэлектрической проницаемости, существуют только экситоны Ванье — Мотта. Экситоны Френкеля применимы, прежде всего, к молекулярным кристаллам[8].

Полупроводниковые приборы на основе экситонных переходов

[править | править код]

В объёмных полупроводниках экситонные состояния проявляются только при глубоком охлаждении образцов, что препятствует их использованию. В тонкоплёночных полупроводниковых структурах, напротив, экситонные состояния хорошо выражены при комнатной температуре. Заданным образом изменяя размеры наноструктур, можно изменять энергию связи и другие параметры экситонов и, таким образом, осуществлять управление экситонами в низкоразмерных структурах и создавать приборы на основе физических процессов с участием экситонов[9][10].

Так, разработан прибор, совмещающий функции электрооптического переключателя и детектора излучения на экситонном переходе. Принцип его работы заключается в том, что спектр поглощения экситонов в тонких слоях арсенида галлия при поперечном электрическом поле сдвигается в красную область в силу эффекта Штарка в системе с квантовыми ограничениями. За счёт изменения поглощения внешнее напряжение может модулировать интенсивность проходящего через полупроводник света на частоте экситонного перехода.

Детектирование излучения происходит за счёт распада на электроны и дырки экситонов, образовавшихся при резонансном возбуждении за счёт излучения[11].

Созданы и другие приборы, в которых роль среды, осуществляющей обработку информации, вместо электронного газа играет экситонный газ: оптические модуляторы, фазовращатели, переключатели, оптический транзистор[англ.][12][13] и лазеры[14].

Экситоника

[править | править код]

Область науки и техники, которая изучает технические устройства на основе использования свойств экситонов, называют экситоникой.

Примечания

[править | править код]
  1. Физики впервые обнаружили экситоны в металле. Дата обращения: 2 июня 2014. Архивировано 2 июня 2014 года.
  2. Френкель I, 1931.
  3. Френкель II, 1931.
  4. Френкель Я. И. О поглощении света и прилипании электронов и положительных дырок в кристаллических диэлектриках // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 1936. — Т. 6. — С. 647.
  5. Алфёров Ж. И. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии (Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря 2000 г.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2002. — Т. 172, № 9. — С. 1072. Архивировано 11 мая 2019 года.
  6. Силин, 1999.
  7. Гросс Е. Ф., Каррыев Н. А. Поглощение света кристаллом закиси меди в инфракрасной и видимой части спектра // Доклады Академии наук СССР. — 1952. — Т. 84, № 2. — С. 261—264.
    Гросс Е. Ф., Каррыев Н. А. Оптический спектр экситона // Доклады Академии наук СССР. — 1952. — Т. 84, № 3. — С. 471—474.
  8. Киттель Ч. Введение в физику твёрдого тела. — М.: Наука, 1978. — С. 639. — 791 с.
  9. Белявский В. И.. Экситоны в низкоразмерных системах // Соросовский образовательный журнал. — 1997. — № 5. — С. 93—99. Архивировано 29 апреля 2014 года.
  10. Днепровский В. С., Жуков Е. А., Муляров Е. А., Тиходеев С. Г.. Линейное и нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице // ЖЭТФ. — 1998. — Т. 113, № 2(8). — С. 700—710. — ISSN 0044-4510.
  11. Днепровский В. С.. Экситоны перестают быть экзотическими квазичастицами // Соросовский образовательный журнал. — 2000. — Т. 6, № 8. — С. 88—92. Архивировано 4 марта 2016 года.
  12. Andreakou P. et. al. Optically controlled excitonic transistor (англ.) // Applied Physics Letters : journal. — 2014. — Vol. 104, no. 9. — P. 091101. — doi:10.1063/1.4866855.
  13. Kuznetsova Y. Y. et. al. All-optical excitonic transistor (англ.) // Optics Letters : journal. — 2010. — Vol. 35, no. 10. — P. 1587—1589. — doi:10.1364/OL.35.001587. — PMID 20479817.
  14. Лозовик Ю. Е.. Управление бозе-конденсатом экситонов и фононный лазер // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2001. — Т. 171, № 12. — С. 1373—1376. — ISSN 0042-1294. — doi:10.3367/UFNr.0171.200112i.1373. Архивировано 31 марта 2013 года.

Литература

[править | править код]
  • Силин А. П. Экситон // Физическая энциклопедия : [в 5 т.] / Гл. ред. А. М. Прохоров. — М.: Большая российская энциклопедия, 1999. — Т. 5: Стробоскопические приборы — Яркость. — С. 501−504. — 692 с. — 20 000 экз. — ISBN 5-85270-101-7.
  • Брандт Н. Б., Кульбачинский В. А. — Квазичастицы в физике конденсированного состояния. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005
  • Агранович В. М., Гинзбург В. Л. Кристаллооптика с учётом пространственной дисперсии и теория экситонов, М., 1965
  • Нокс Р. Теория экситонов, М., Мир, 1966
  • Воронов В. К., Подоплелов А. В. Современная физика, М., КомКнига, 2005, ISBN 5-484-00058-0
  • J. Frenkel. On the transformation of light into heat in solids. I (англ.) // Physical Review : journal. — 1931. — Vol. 37, no. 1. — P. 17—44.
  • J. Frenkel. On the transformation of light into heat in solids. II (англ.) // Physical Review : journal. — 1931. — Vol. 37, no. 10. — P. 1276—1294.
{{bottomLinkPreText}} {{bottomLinkText}}
Экситон
Listen to this article

This browser is not supported by Wikiwand :(
Wikiwand requires a browser with modern capabilities in order to provide you with the best reading experience.
Please download and use one of the following browsers:

This article was just edited, click to reload
This article has been deleted on Wikipedia (Why?)

Back to homepage

Please click Add in the dialog above
Please click Allow in the top-left corner,
then click Install Now in the dialog
Please click Open in the download dialog,
then click Install
Please click the "Downloads" icon in the Safari toolbar, open the first download in the list,
then click Install
{{::$root.activation.text}}

Install Wikiwand

Install on Chrome Install on Firefox
Don't forget to rate us

Tell your friends about Wikiwand!

Gmail Facebook Twitter Link

Enjoying Wikiwand?

Tell your friends and spread the love:
Share on Gmail Share on Facebook Share on Twitter Share on Buffer

Our magic isn't perfect

You can help our automatic cover photo selection by reporting an unsuitable photo.

This photo is visually disturbing This photo is not a good choice

Thank you for helping!


Your input will affect cover photo selection, along with input from other users.

X

Get ready for Wikiwand 2.0 🎉! the new version arrives on September 1st! Don't want to wait?