For faster navigation, this Iframe is preloading the Wikiwand page for Effekt MOSFET.

Effekt MOSFET

En SMD (overflademonteret) effekt MOSFET der kan tåle 45 ampere og 20V. De findes f.eks. på et PC bundkort.
N-channels:
P-channels:
depletion IGFET enhancement IGFET
Transistor symboler for MOSFET som er ét eksempel på en IGFET.
Langt de fleste effekt MOSFET er af enhancementtypen
- dvs. at deres kanal er ikke-ledende for Vgs=0V.
Specifik modstand som funktion af maksimal design Vds spænding. Den stiblede linje er hvad en ideel siliciumbaseret effekt MOSFET kan opnå.

En effekt MOSFET (eller power MOSFETfabrikant salgsnavne: VMOS, TMOS, DMOS, MegaMOS, HEXFET, HiPerMOS, SIPMOS, TrenchMOS) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter lavet af halvlederfaststof og formet som en chip og pakket ind i et hus med typisk tre ben (også kaldet terminaler). Deres formål i næsten al elektronik er at forstærke elektriske signaler (analog styring) eller fungere som en elektrisk kontakt (digital styring).

Effekt MOSFET anvendes hovedsageligt med digital styring i effektelektronik som f.eks. SMPS (f.eks. vekselrettere), elmotor-kommutering, udgangsforstærkere, radiosendere, fjernsyn.

En effekt MOSFET er en speciel MOSFET transistorversion, som er optimeret til at lede og spærre for store elektriske strømme (mere end 100 ampere eller mere end 1000 volt) i en brik på ca. 1 cm³. Den høje ydelse nås ved hjælp af en halvlederstruktur, som parallelkobler mange del-MOSFET linjer/baner på stort set hele chip-overfladen.

Det skal bemærkes at effekt MOSFET-transistorer i modsætning til bipolare transistorer ikke har en secondary breakdown-grænse, da resistiviteten i source-drain-kanalen stiger med temperaturen.

Fra ca. 1980 til 2010 er effekt MOSFETs FOM (Figure-of-Merit) blevet 40 gange mindre (bedre).[1]

Kilder/referencer

[redigér | rediger kildetekst]
  1. ^ Sep 1, 2010, powerelectronics.com: eGaN(tm)-Silicon Power Shoot-Out: Part 1 Comparing Figure of Merit (FOM), backup, pdf, backup Citat: "...FOM (Figure-of-Merit) is a useful method to compare power devices and has been used by MOSFET manufacturers to show both generational improvements and competitive devices:...Fig. 2 Rds(on) vs. QGD for different power transistors...during the past 30 years of MOSFET improvement, the switching FOM has gone down by a factor of 40!..."

Eksterne henvisninger

[redigér | rediger kildetekst]
NaturvidenskabSpire
Denne naturvidenskabsartikel er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den.
{{bottomLinkPreText}} {{bottomLinkText}}
Effekt MOSFET
Listen to this article

This browser is not supported by Wikiwand :(
Wikiwand requires a browser with modern capabilities in order to provide you with the best reading experience.
Please download and use one of the following browsers:

This article was just edited, click to reload
This article has been deleted on Wikipedia (Why?)

Back to homepage

Please click Add in the dialog above
Please click Allow in the top-left corner,
then click Install Now in the dialog
Please click Open in the download dialog,
then click Install
Please click the "Downloads" icon in the Safari toolbar, open the first download in the list,
then click Install
{{::$root.activation.text}}

Install Wikiwand

Install on Chrome Install on Firefox
Don't forget to rate us

Tell your friends about Wikiwand!

Gmail Facebook Twitter Link

Enjoying Wikiwand?

Tell your friends and spread the love:
Share on Gmail Share on Facebook Share on Twitter Share on Buffer

Our magic isn't perfect

You can help our automatic cover photo selection by reporting an unsuitable photo.

This photo is visually disturbing This photo is not a good choice

Thank you for helping!


Your input will affect cover photo selection, along with input from other users.

X

Get ready for Wikiwand 2.0 🎉! the new version arrives on September 1st! Don't want to wait?