IGZO
Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Оксид індію, галію та цинку (англ. Indium gallium zinc oxide, скор. IGZO) — напівпровідниковий матеріал, який може бути використаний як канал для прозорих тонкоплівкових транзисторів. Ці матеріали можуть бути заміною аморфного кремнію для активного шару РК-екранів. Рухливість електронів цього матеріалу в сорок разів вища, ніж у аморфного кремнію, що дозволяє зменшити розмір пікселя (для отримання роздільної здатності набагато вищої, ніж формат HDTV) або час відгуку екрана.
- Photosensitivity of amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays (PDF). Архів (PDF) оригіналу за 26 січня 2013. Процитовано 1 жовтня 2013.
- JUSUNG Engineering Succeeds in MOCVD IGZO TFT Process and Equipment Development as the First in the World. Архів оригіналу за 26 січня 2013. Процитовано 1 жовтня 2013.
- Sharp starts punching out IGZO LCDs for retina screens [Архівовано 18 грудня 2012 у Wayback Machine.]
- AUO Reveals 65-inch 4K by 2K IGZO TV Panel Technology. Архів оригіналу за 26 січня 2013. Процитовано 1 жовтня 2013.
Text is available under the CC BY-SA 4.0 license; additional terms may apply.
Images, videos and audio are available under their respective licenses.
Cover photo is available under {{::mainImage.info.license.name || 'Unknown'}} license.
Cover photo is available under {{::mainImage.info.license.name || 'Unknown'}} license.
Credit:
(see original file).
