DDR5 SDRAM (англ. double-data-rate five synchronous dynamic random access memory) — пятое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Планируется, что DDR5 предоставит меньшее энергопотребление, а также удвоенную пропускную способность и объём по сравнению с DDR4 SDRAM^[1].

Корпорация Intel в выступлении 2016 года предположила, что JEDEC может выпустить спецификацию DDR5 SDRAM в 2016 году с коммерческой доступностью памяти к 2020 году^[2].

В марте 2017 JEDEC сообщила о планах выпустить спецификацию DDR5 в 2018 году^[3]; на форуме JEDEC Server в 2017 сообщалось о дате предварительного доступа к описанию DDR5 SDRAM с 19 июня 2017^[4][5], а 31 октября начался двухдневный «DDR5 SDRAM Workshop»^[6].
По сравнению с DDR4 ожидается увеличение пропускной способности (на базовых частотах) на четверть, снижение напряжения питания микросхем до 1,1 вольта (с переносом контроллера питания на плату^[7]), появление режима 16n-prefetch^[англ.] в дополнение к 8n.
Количество контактов на каждый канал памяти сохранится в количестве 280 единиц^[8].
Ожидается возможность масштабирования за уровень в 16 гигабит на кристалл (до 64 Гбит^[9]) и реализация двух 40-битных каналов (32 бита данных и 8 битов ECC^[7]) в рамках каждого модуля DIMM (вместо используемых ранее 72 бит=64+8, где 64 бита — ширина шины данных, а 8 — биты исправления ошибок ECC).

Компания Rambus анонсировала прототип памяти DDR5 RAM в сентябре 2017 года, с доступностью не ранее 3 квартала 2018 года^[10][11].

Micron изготовила первые прототипы памяти в 2017 году, они были проверены при помощи контроллера, спроектированного компанией Cadence Design Systems, выпущенного на полупроводниковой фабрике компании TSMC (7 нм)^[12].

Начало выхода первых изделий на рынок ожидалось до конца 2019 года, с занятием четверти рынка памяти примерно в 2020 году^[13].

Согласно исследованию IDC, предполагалось, что спрос на DDR5 начнёт расти в 2020, а в 2021 достигнет четверти рынка^[14].

Также прогнозировался, в 2020 году, выход родственного стандарта LPDDR5 для ноутбуков и мобильных устройств^[13].

Первую в мире оперативную память нового поколения представила SK Hynix 6 октября 2020 года. Эта память обеспечивает скорость передачи данных в 4800-5600 Мбит/с на контакт (что в 1,8 раза превышает базовые показатели DDR4), напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность; добавлена поддержка исправления ошибок ECC.

Ёмкость модулей памяти DDR5 от SK Hynix и Micron может достигать 256 ГБ (потребление порядка 20 Вт), при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV)^[15][16].

29 августа 2024 года компания SK Hynix Inc. сообщила о разработке первого в индустрии чипа памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит. Производство чипов будет осуществляться по технологии 1c (шестое поколение технологического процесса класса 10 нм). Скорость работы чипов повышена на 11% по сравнению с предшествующей технологией и будет достигать значений до 8 Гбит/с. Энергоэффективность чипов также была повышена более чем на 9%. Массовое производство новой памяти начнётся в течение 2024 года, поставки продукции стартуют в 2025 году.

• Main Memory: DDR4 & DDR5 SDRAM / JEDEC (англ.)
• Спецификации DDR5: некоторые подробности // 3Dnews, 6.04.2017
• DDR5: Here’s everything you need to know about next-gen RAM // digitaltrends.com, March 1, 2019
• тег DDR5 на anandtech.com

Типы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM)
Асинхронная	FPM RAM EDO RAM
Синхронная	SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM DDR5 SDRAM LPDDR (Mobile DDR) eDRAM HBM HMC
Графическая	VRAM WRAM MDRAM[англ.] SGRAM GDDR GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 GDDR6 GDDR7
Rambus	RDRAM XDR DRAM XDR2 DRAM
Модули памяти	SIPP SIMM DIMM SO-DIMM UniDIMM[англ.] RIMM