Хохлов, Дмитрий Ремович
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
| Дмитрий Ремович Хохлов | ||||
|---|---|---|---|---|
| Дата рождения | 26 декабря 1957 (66 лет) | |||
| Место рождения | Москва | |||
| Страна |
 СССР→ Россия |
|||
| Род деятельности | физик | |||
| Научная сфера | физика полупроводников | |||
| Место работы | физический факультет МГУ, ФИАН | |||
| Альма-матер | физический факультет МГУ (1980) | |||
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (1992) | |||
| Учёное звание | профессор (2001), член-корреспондент РАН (2008) | |||
| Награды и премии |
|
|||
Дми́трий Ре́мович Хохло́в (род. 26 декабря 1957) — советский и российский физик, профессор МГУ, лауреат Государственной премии РФ (1995), член-корреспондент РАН (2008).
Биография
[править | править код]Родился в Москве в семье известного физика Р. В. Хохлова и Елены Михайловны Дубининой (дочери М. М. Дубинина)[1], младший брат А. Р. Хохлова. В 1974 году окончил 2-ю физико-математическую школу в Москве[2]. Выпускник физического факультета МГУ 1980 года. Поступил на работу в лабораторию полупроводников физического факультета МГУ, позднее стал заведующим этой лабораторией. В 1992 году защитил диссертацию на соискание степени доктора физико-математических наук по теме «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы». В 1995 году получил Государственную премию Российской Федерации «За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов», в том же году стал лауреатом премии им. Шувалова. С 1998 года — профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости того же факультета. С 2006 избран заведующим кафедрой общей физики и магнито-упорядоченных сред МГУ. В 2008 году избран членом-корреспондентом РАН.
- член научного совета РАН по физике полупроводников
- заместитель председателя учебно-методического совета по физике учебно-методического объединения по классическому университетскому образованию
- член учёного совета физического факультета МГУ
Общественная позиция
[править | править код]В феврале 2022 года подписал открытое письмо российских учёных и научных журналистов с осуждением вторжения России на Украину и призывом вывести российские войска с украинской территории[3].
Научные интересы
[править | править код]Научные интересы: физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур. Получил ряд новых результатов, имеющих фундаментальное значение для физики полупроводников:
- гигантское отрицательное магнитосопротивление с амплитудой до 10 в 6 степени;
- локализация и делокализация в сверхсильных магнитных полях;
- СВЧ-стимуляция задержанной фотопроводимости, позволяющая увеличить квантовую эффективность полупроводника до 10 во 2 степени;
- СВЧ-резонанс задержанной фотопроводимости;
- селективная фононно-стимулированная фотопроводимость, наблюдаемая на частотах терагерцового диапазона.
Примечания
[править | править код]- ↑ Академик Рем Викторович Хохлов — ректор Московского университета. К 250-летию МГУ. Дата обращения: 19 апреля 2017. Архивировано 19 апреля 2017 года.
- ↑ Фотографии разных выпусков, 3 ряд, 3 слева. Дата обращения: 19 апреля 2017. Архивировано 20 апреля 2017 года.
- ↑ Открытое письмо российских ученых и научных журналистов против войны с Украиной. Архивировано 25 апреля 2022 года.
Ссылки
[править | править код]- Профиль Дмитрия Ремовича Хохлова на официальном сайте РАН
- О нём // физфак МГУ
- Кабинет физики СПбАППО
- Статья на сайте «Летопись Московского университета»
- Историческая справка на сайте Архива РАН
 |
|---|
Text is available under the CC BY-SA 4.0 license; additional terms may apply.
Images, videos and audio are available under their respective licenses.
