Robert Dennard
| Robert H. Dennard | |||
|---|---|---|---|
 Robert Dennard ved siden av en tegning av hans DRAM-celle | |||
| Født | 5. september 1932 Terrell, Texas, USA | ||
| Død | 23. apr. 2024[1] (91 år)Croton-on-Hudson | ||
| Beskjeftigelse | Elektroingeniør og oppfinner | ||
| Akademisk grad | Ph.d.[2][3] | ||
| Utdannet ved | Carnegie Mellon University | ||
| Nasjonalitet | USA | ||
| Medlem av | National Academy of Engineering | ||
| Utmerkelser | 13 oppføringer
IEEEs Cledo Brunetti-utmerkelse (1982)[4]
IBM Fellow National Medal of Technology and Innovation (1988)[5] Edison-medaljen (2001)[6] Benjamin Franklin-medaljen (2007) Harveyprisen (1990) (statsborgerskap: USA)[7] IEEEs æresmedalje (2009)[8] National Inventors Hall of Fame (1997)[9] Charles Stark Draper-prisen (2009) Kyotoprisen for avansert teknologi (2013)[10] Lemelson–MIT Prize (2005) IRI Achievement Award (1990) NAS Award for the Industrial Application of Science (2017)[11] | ||
| Arbeidssted | IBM | ||
| Fagfelt | Elektroteknikk | ||
| Utdannelse | Southern Methodist University, Dallas Carnegie Institute of Technology in Pittsburgh, Pennsylvania, | ||
| Doktorgrads- avhandling | doktorgradsavhandling | ||
| Kjent for | oppfinner av DRAM-minne | ||
Robert Dennard (født 5. september 1932) er en amerikansk elektroingeniør og oppfinner.
Dennard ble født i Terrell i Texas i USA. Han fikk sin bachelor- og mastergrad i elektronikk fra Southern Methodist University i Dallas, i henholdsvis 1954 og 1956. Han har en Ph.D. fra Carnegie Institute of Technology i Pittsburgh i Pennsylvania i 1958. I sitt yrkesaktive liv arbeidet han som forsker for IBM.
I 1968 fant Dennard opp dynamic random access memory (DRAM). Dennard var også blant de første vitenskapsmenn som så det enorme potensialet som lå i nedskalering av såkalte MOSFETs. Skaleringsteorien som han og hans kolleger formulerte i 1974 la til grunn at MOSFET ville fortsette å fungere som spenningskontrollerte brytere, mens tetthet, hastighet og energieffektivitet ville øke forutsatt at dimensjonene, spenning og tettheten ble skalert slik at samme elektriske spenningsfelt ble opprettholdt. Denne egenskapen ligger til grunn for Moores lov og utviklingen av mikroelektronikk de siste tiårene.
Utmerkelser
[rediger | rediger kilde]- 2009 IEEE Medal of Honor
- 2009 National Academy of Engineering (NAE) Charles Stark Draper Prize
- 2007 Benjamin Franklin Medal in Electrical Engineering fra the Franklin Institute[12]
- 2001 IEEE Edison Medal[13]
- 1988 US National Medal of Technology[14]
Referanser
[rediger | rediger kilde]- ^ www.lohud.com[Hentet fra Wikidata]
- ^ WorldCat, OCLC-nummer 227253865[Hentet fra Wikidata]
- ^ cmu.primo.exlibrisgroup.com[Hentet fra Wikidata]
- ^ www.ieee.org[Hentet fra Wikidata]
- ^ www.nationalmedals.org[Hentet fra Wikidata]
- ^ www.ieee.org[Hentet fra Wikidata]
- ^ harveypz.net.technion.ac.il[Hentet fra Wikidata]
- ^ www.ieee.org[Hentet fra Wikidata]
- ^ National Inventors Hall of Fame, National Inventors Hall of Fame ID robert-h-dennard[Hentet fra Wikidata]
- ^ www.kyotoprize.org[Hentet fra Wikidata]
- ^ www.nasonline.org[Hentet fra Wikidata]
- ^ «Arkivert kopi». Arkivert fra originalen 12. oktober 2007. Besøkt 4. august 2008.
- ^ 2001 IEEE Edison Medal.
- ^ 1988 National Medal of Technology. Arkivert 12. august 2006 hos Wayback Machine.
Eksterne lenker
[rediger | rediger kilde]- MIT Inventor of the Week: Archive – Robert Dennard Arkivert 15. april 2003 hos Wayback Machine.
- Bio IEEE Legacies
Text is available under the CC BY-SA 4.0 license; additional terms may apply.
Images, videos and audio are available under their respective licenses.
