Processos de fabricació de circuits integrats
10 µm – 1971 6 µm – 1974 3 µm – 1977 1.5 µm – 1982 1 µm – 1985 800 nm – 1989 600 nm – 1994 350 nm – 1995 250 nm – 1997 180 nm – 1999 130 nm – 2001 90 nm – 2004 65 nm – 2006 45 nm – 2008 32 nm – 2010 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2017 7 nm  – ~2018 5 nm – ~2020
Half-nodes

600 nanòmetres (600 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 600 nm. És una millora de la tecnologia de 800 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de ${\displaystyle 600\simeq {\frac {800}{\sqrt {2))))$. Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 1105 àtoms de llargada.^[1]

• Tecnologia de litografia millorada.

• Circuit integrat
• Tecnologia litogràfica